Enthält ein Register zur Verbesserung von Takt-, Befehls- und Steuersignalen Fehlerkorrektur verfügbar durch 8 Bit Paritätssignale Unterstützt x4 / x8 Organisation / bis zu 2 Ränge pro DIMM und 3DPC Konfiguration
Typ
Arbeitsspeicher Server
Hersteller Nr.
M393A8G40CB4-CWE
Speicherkapazität
64 GB
Speicherlayout (Module x Größe)
1 x 64 GB
Interner Speichertyp
DDR4
Spannung
1.2 V
Speichertaktfrequenz
3200 MHz
Memory Formfaktor
288-pin DIMM
Gepufferter Speichertyp
Registered (buffered)
Das Mushkin MPL4E213FF8G18 ist ein 8-GB-DDR4-2133-Speichermodul mit ECC-Fehlerkorrektur (PC4-17064, 1Rx8, CL15) aus der Proline-Serie.
Typ
SDRAM-DDR4
EAN
0846651026330
Hersteller-Nr.
MPL4E213FF8G18
Serie
Proline
Kapazität
8 GB
Anzahl
1 Stück
Bauform
DIMM
Anschluss
288-Pin
Standard
DDR4-2133 (PC4-17064)
Physikalischer Takt
1067 MHz
Timings
CAS Latency (CL)
15
Feature
ECC
Gewicht
75 Gramm
Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Das Mushkin 991965 ist ein 16-GB-DDR3L-1333 Speichermodul (4Rx4) aus der Proline Serie. Das ECC 240-Pin-DIMM entspricht dem PC3L-10600-Standard und ist für einen Speichertakt bis 1333 MHz bei Latenzen von 9-9-9 geeignet.
Typ
SDRAM-DDR3
EAN
0846651011350
Hersteller-Nr.
991965
Serie
Proline
Kapazität
16 GB
Anzahl
1 Stück
Bauform
DIMM
Anschluss
240-Pin
Spannung
1,5 Volt
Standard
DDR3-1333 (PC3-10600)
Physikalischer Takt
667 MHz
Timings
CAS Latency (CL)
9
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
9
RAS-Precharge-Time (tRP)
9
Feature
ECC, Low-Voltage
Gewicht
45 Gramm
Das Transcend TS1GLH72V4B ist ein 8-GB-DDR4-2400-ECC-Speichermodul (PC4-19200). Das Modul ist auf eine Latenz von 17 bei 2400 MHz getestet. Das 288-pin unbuffered DIMM benötigt eine Spannung von 1,2 Volt.
Typ
SDRAM-DDR4
EAN
0760557835035
Hersteller-Nr.
TS1GLH72V4B
Kapazität
8 GB
Anzahl
1 Stück
Bauform
DIMM
Speicherchips
Datendichte
8192 Mbit pro Speicherchip
Organisation
1024Mx8
Anschluss
288-Pin
Spannung
1,2 Volt
Standard
DDR4-2400 (PC4-19200)
Physikalischer Takt
1200 MHz
Timings
CAS Latency (CL)
17
Feature
ECC
Weitere Informationen
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht
28 Gramm
Das Corsair CMA64GX5M4B6000C40 ist ein Kit aus 4x 16 GB DDR5-6000 (PC5-48000) Speichermodulen aus der WS Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 64 GB. Das 288-Pin Modul unterstützt eine Latenz von 40 bei 6000 MHz und benötigt 1,35 Volt Spannung. Intels XMP Version 3.0 wird unterstützt.
Typ
SDRAM-DDR5
Farbe
schwarz
EAN
0840006688594
Hersteller-Nr.
CMA64GX5M4B6000C40
Serie
WS
Kapazität
64 GB (4 x 16 GB)
Anzahl
4 Stück
Bauform
DIMM
Profile
INTEL XMP (Version 3.0)
Anschluss
288-Pin
Spannung
1,35 Volt (von 1,1 bis 1,4 Volt)
Standard
DDR5-6000 (PC5-48000)
Physikalischer Takt
3000 MHz
Timings
CAS Latency (CL)
40
Feature
ECC
Der Micron Server Arbeitsspeicher steigert die Leistung und hilft dabei, IT-Budgets zu maximieren. Das Micron MTA18ASF4G72AZ-3G2R ist ein 16-GB-DDR4-3200-Speichermodul (PC4-25600) mit ECC-Fehlerkorrektur. Das 288-pin-Unbuffered-DIMM bietet ein Timing von 22-22-22 bei 3200 MHz und benötigt eine Spannung von 1,2 Volt.
Typ
SDRAM-DDR4
Farbe
grün
EAN
0649528929174
Hersteller-Nr.
MTA18ASF4G72AZ-3G2R
Kapazität
32 GB
Anzahl
1 Stück
Bauform
UDIMM
Anschluss
288-Pin
Spannung
1,2 Volt
Standard
DDR4-3200 (PC4-25600)
Timings
CAS Latency (CL)
22
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)
22
RAS-Precharge-Time (tRP)
22
Feature
ECC
Hinweis
Dual Rank x8
DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".